真空鍍又(you)稱真空(kong)鍍(du)金、真空(kong)鍍(du)膜，指的(de)是利(li)用(yong)物理過程實(shi)現物質轉移，將原子(zi)(zi)(zi)或(huo)分子(zi)(zi)(zi)由(you)源轉移到(dao)基(ji)(ji)材表面上(shang)(shang)的(de)過程。它(ta)的(de)作用(yong)是可以(yi)使一些有(you)特(te)殊性(xing)(xing)(xing)能(強度(du)高、耐磨性(xing)(xing)(xing)、散熱(re)性(xing)(xing)(xing)、耐腐性(xing)(xing)(xing)等)的(de)微粒噴涂在性(xing)(xing)(xing)能較低的(de)基(ji)(ji)材上(shang)(shang)，使得材料具有(you)更好的(de)性(xing)(xing)(xing)能。 真空(kong)鍍(du)的(de)基(ji)(ji)本方法分為(wei)(wei)真空(kong)蒸發(fa)和離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)其中離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)分為(wei)(wei)：空(kong)心陰(yin)極離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)、熱(re)陰(yin)極離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)、電弧(hu)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)、活性(xing)(xing)(xing)反應離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)、射頻離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)、直流放電離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)鍍(du)。
真空鍍簡稱PVD是(shi)(shi)英文Physical Vapor Deposition(物理氣(qi)相沉積)的(de)縮寫，是(shi)(shi)指在(zai)真空條件(jian)下(xia)，采用低電(dian)(dian)壓(ya)、大(da)電(dian)(dian)流的(de)電(dian)(dian)弧(hu)放電(dian)(dian)技術，利(li)用氣(qi)體放電(dian)(dian)使靶材蒸發并使被蒸發物質(zhi)與氣(qi)體都發生電(dian)(dian)離(li)，利(li)用電(dian)(dian)場(chang)的(de)加速作用，使被蒸發物質(zhi)及其反應產物沉積在(zai)工件(jian)上。
增(zeng)強型磁控陰(yin)極弧(hu)：陰(yin)極弧(hu)技術(shu)是在真空(kong)條(tiao)件下(xia)，通過(guo)低電壓和(he)高電流將(jiang)(jiang)靶材(cai)離(li)(li)化成離(li)(li)子狀態，從(cong)而完成薄膜材(cai)料的沉(chen)積(ji)。增(zeng)強型磁控陰(yin)極弧(hu)利用電磁場的共(gong)同作用，將(jiang)(jiang)靶材(cai)表(biao)面的電弧(hu)加以有效地控制，使材(cai)料的離(li)(li)化率更高，薄膜性(xing)能更加優(you)異。
過濾陰極(ji)弧：過濾陰極(ji)電弧(FCA )配(pei)有(you)(you)高效(xiao)的(de)(de)(de)電磁過濾系統，可將離(li)子源產生的(de)(de)(de)等離(li)子體中的(de)(de)(de)宏觀粒子、離(li)子團過濾干(gan)凈，經過磁過濾后沉積粒子的(de)(de)(de)離(li)化率(lv)為100%，并且可以過濾掉大顆粒，因此制備(bei)的(de)(de)(de)薄膜非常致密和平整光(guang)滑，具有(you)(you)抗(kang)腐蝕(shi)性能好，與(yu)機體的(de)(de)(de)結合力很(hen)強(qiang)。
磁(ci)控濺(jian)射(she)：在真(zhen)空環(huan)境下，通過電壓和(he)磁(ci)場(chang)的(de)共同作(zuo)(zuo)用，以被(bei)離化的(de)惰性氣體離子對靶材(cai)(cai)進行(xing)轟擊，致使靶材(cai)(cai)以離子、原子或分子的(de)形式被(bei)彈出并(bing)沉積在基件上形成薄膜。根據使用的(de)電離電源的(de)不同，導體和(he)非導體材(cai)(cai)料(liao)均(jun)可(ke)作(zuo)(zuo)為靶材(cai)(cai)被(bei)濺(jian)射(she)。
離(li)(li)子(zi)(zi)束(shu)(shu)DLC：碳(tan)(tan)氫氣(qi)體(ti)在(zai)(zai)(zai)離(li)(li)子(zi)(zi)源(yuan)中被離(li)(li)化(hua)成等離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)，在(zai)(zai)(zai)電(dian)磁場的(de)(de)共同(tong)作用(yong)(yong)下，離(li)(li)子(zi)(zi)源(yuan)釋放(fang)出(chu)碳(tan)(tan)離(li)(li)子(zi)(zi)。離(li)(li)子(zi)(zi)束(shu)(shu)能量通過調整(zheng)加在(zai)(zai)(zai)等離(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)上的(de)(de)電(dian)壓來控(kong)制(zhi)。碳(tan)(tan)氫離(li)(li)子(zi)(zi)束(shu)(shu)被引(yin)到基片上，沉積速(su)度與離(li)(li)子(zi)(zi)電(dian)流密度成正比。星弧涂層的(de)(de)離(li)(li)子(zi)(zi)束(shu)(shu)源(yuan)采用(yong)(yong)高電(dian)壓，因而(er)離(li)(li)子(zi)(zi)能量更大(da)(da)，使(shi)得薄膜與基片結(jie)合力很好(hao);離(li)(li)子(zi)(zi)電(dian)流更大(da)(da)，使(shi)得DLC膜的(de)(de)沉積速(su)度更快。離(li)(li)子(zi)(zi)束(shu)(shu)技(ji)術的(de)(de)主要優點在(zai)(zai)(zai)于可沉積超薄及多(duo)層結(jie)構，工(gong)藝控(kong)制(zhi)精(jing)度可達(da)幾個(ge)埃，并(bing)可將工(gong)藝過程中的(de)(de)顆料污染所帶來的(de)(de)缺陷降至(zhi)最小。
其(qi)中應用最(zui)為廣泛的真空鍍工(gong)藝就(jiu)是磁控(kong)濺射，表面不僅光滑(hua)耐磨而且環保容(rong)易操作，青(qing)島地區真(zhen)空鍍做的(de)(de)比較全面的(de)(de)比較專業的(de)(de)青(qing)島大東(dong)電子，大家有機(ji)會可以去學習參觀，先(xian)進(jin)的(de)(de)設備跟工(gong)藝帶來(lai)科技(ji)改變(bian)工(gong)業的(de)(de)震撼。
關鍵(jian)詞： 真空(kong)(kong)鍍 真空(kong)(kong)鍍金 PVD 真空(kong)(kong)鍍膜 青(qing)島大東(dong)電子(zi)
